大陸科技部宣布，在2萬多名科技工作者九年多努力下，大陸半導體製造技術已實現五級跳，從130奈米躍升至14奈米，預計2018年14奈米的設備、技術、封裝、材料等方面將全面進入產業化。此外，大陸更計畫在「十三五」期間（2016年至2020年）重點支持7至5奈米技術和3D NAND快閃記憶體等國際先進技術研發，支持中國企業在半導體產業實現自主發展，形成特色優勢。
目前中國大陸製造的電子產品已占全球約41%，但半導體自給率卻只有7%左右。2006年起，半導體產品更超越石油成為中國最大宗進口產品，2013年以來，年進口額均超過2,000億美元。
為實現半導體產業自主創新發展，大陸國務院2008年啟動「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」國家科技重大專項計畫，大陸科技部重大專項辦公室主任陳傳宏表示，該專項由北京市和上海市政府帶頭組織實施，共有200多家企事業單位、2萬多名科學工作者參與技術攻關，集中在北京、上海、江蘇、瀋陽、深圳和武漢等六個產業聚集區。
據北京經濟日報及中國證券網報導，科技部與北京及上海市政府23日聯袂舉行「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」成果發布會。
該專項計畫技術總師、中國科學院微電子研究所所長葉甜春表示，該專項實施前，中國積半導體高端裝備和材料基本處於空白狀態，完全依賴進口。
葉甜春指出，通過2萬科技工作者九年的努力，中國已研製成功14奈米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水準
葉甜春說，2008年以前，大陸積體電路製造最先進的量產工藝為130奈米，研發工藝為90奈米。
專項實施至今，主流工藝水準提升五代，55、40、28奈米三代成套工藝研發成功並實現量產，22、14奈米先導技術研發取得突破，形成了自主智財權；封裝企業從低端進入高端，中國借助這些技術所製造的智慧手機、智慧卡等晶片產品已大量進入市場，提高了中國資訊產業的競爭力。
