聯電晶圓代工成熟製程訂單滿手，毛利率喊衝之際，布局當紅的第三代半導體也再進化，搶進難度更高、經濟效益更好的8吋晶圓第三代半導體製造領域，近期大舉購置新機台擴產，預計下半年進駐廠區，躋身業界領先群，為後續獲利增添動能。
法人指出，「聯家軍」出身的大將已在國內第三代半導體搶下一片天，以聯電前資深副總經理徐建華退休後，轉戰漢磊投控，出任漢磊投控旗下漢磊與嘉晶兩家公司董座，並成功帶領漢磊與嘉晶量產第三代半導體產品最著名，聯電此刻發展第三代半導體火力全開，進軍難度更高的8吋領域，凸顯集團能量豐沛。
聯電先前第三代半導體布局，主要透過轉投資聯穎切入，鎖定6吋氮化鎵產品，主要考量目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少，聯穎正在進行技術平台建置，完成後會把平台開放給設計公司客戶使用，擴大接單利基。
供應鏈則透露，聯電近期擴大第三代半導體布局，自行購置蝕刻、薄膜新機台，預計下半年將進駐8吋AB廠，瞄準8吋晶圓生產第三代半導體的經濟效益優於6吋晶圓的方向，全力搶第三代半導體商機。
聯電財務長劉啟東對此回應，集團在第三代半導體的發展上，仍以聯穎為主，聯電則進行研發，不過確實有在合作，但細節不便透露。
業界分析，第三代半導體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚，很容易導致晶圓彎曲，考量製程難度，目前業界發展第三代半導體多以6吋為主。
不過，6吋晶圓半徑是5公分，8吋晶圓半徑則是10公分，所以8吋相對6吋，一片可以產出的晶片量會「多出很多」，在經濟效益較高的前提下，聯電切入8吋第三代半導體領域。
隨著5G、電動車等新應用百花齊放，對高頻、高速運算、高速充電需求大增，傳統以矽及砷化鎵為材料的第一代與第二代半導體在溫度、頻率、功率等已達極限，無法用於嚴苛環境，加上全球開始重視碳排放問題，具備高能效、低能耗的第三代半導體成為市場當紅炸子雞，也為聯電開啟新的獲利方程式。
聯電今年首季表現亮眼，單季毛利率更是季增4.3個百分點、突破四成大關，來到43.4%，並預期本季持續向上，顯現聯電持續開發特殊製程的效益顯現，伴隨跨大步推進第三代半導體版圖，法人看好聯電營運後市可期。
□讀秘書／第三代半導體
第三代半導體和第一代與第二代產品的差異，在於半導體材料技術突破，聚焦碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）材料應用。
第三代半導體具有更好的物理和化學特性，符合自動駕駛、5G、遠距與微創醫療等科技業新應用所需，成為市場當紅炸子雞。（李孟珊）
